SD 卡厂家 传美光砸千亿日元扩增日本DRAM产能
日前传出全球DRAM龙头厂三星电子恐会在明(2016)年、后年带头砍产能，且减产幅度更将居业界之冠，不过全球第3大DRAM厂美光秉持着「逆势时更应该积极投资」的态度，传出将豪砸千亿日圆在日本量产采用全球最先端技术的DRAM、扩增产能。
日经新闻12日报导，美光计划于今后1年内对日本广岛工厂豪砸1,000亿日圆资金，导入最新生产设备，量产全球最先端、采用16nm制程技术的DRAM产品，且目标为在2016年上半年确立16nm DRAM的量产技术。
报导指出，目前半导体市况虽疲弱，不过美光期望藉由在逆势时持续进行积极投资，对抗全球龙头厂三星；美光也于上年度(截至2015年8月底为止的会计年度)对广岛工厂砸下1,000亿日圆资金进行增产，故此将为美光连续第2年对广岛工厂进行巨额投资。
据报导，和现行20nm制程相比，采用16nm制程的每片晶圆可取得的存储器数量将增加，预估产能将可提高2-3成，而待上述广岛工厂确立16nm DRAM量产技术之后，美光预估也会对位于日本、美国、台湾等地的工厂中的其中一座进行追加增产投资；南韩三星电子目前也量产采用20nm制程技术的DRAM产品，且也正为量产次世代DRAM产品做准备。
据报导，美光最高营运负责人(CEO)Mark Duncan接受日经新闻专访时表示，市况严峻的时候，才更应该积极投资确立先进技术；他说，移动设备需求持续走扬，加上每台智能手机搭载的存储器容量变大，故存储器市场的未来完全不用悲观。
据报导，美光今年度(截至2016年8月为止的会计年度)用于设备投资、研发的费用将年增4成至58亿美元，且投资对象主要为DARM和NAND Flash等两大存储器事业。
