三星电子今(2015)年靠着20nm制程技术领先DRAM对手、吃下获利市占大饼。不过，风水轮流转，明年美光(Micron)、SK Hynix有望会扳回一城。
barron`s.com报导，Bernstein Research分析师Michael Newman 16日发表研究报告指出，虽然DRAM报价今年崩盘，但其实产业体质反而比过往稳健、业界整体获利依旧相当稳定，主要是因为三星吃掉美光、SK Hynix、华亚科、南亚科(2408)市占率、占据产业多数利润的关系。
根据Newman的统计，今年DRAM整体净利持平于170亿美元，营益率还从去年的37%略为扩大至39%，主因三星已占60%的产业净利、高于去年Q4的46%。三星领先推出DDR4、LPDDR4，因而拥有定价优势，而导入20nm制程技术也带来成本竞争优势。
相较之下，美光则成为今年的大输家，就是因为该公司的20nm制程技术尚未准备完毕的关系。SK Hynix的情况虽没有美光严重，但也在今年面临类似困境。不过，美光、SK Hynix明年有望顺利拉升20nm制程技术与DDR4/LPDDR4产能，有望扳回一城、赢回原来被三星夺走的利润。
韩媒则指出，三星、SK Hynix与美光预料都会在明(2016)年开始量产18nm制程技术的DRAM，下一个目标则将瞄准10nm。
BusinessKorea 10月13日报导，三星、SK Hynix在量产18nmDRAM之后，打算运用ASML制造的极紫外光(EUV)微影设备，目标是在2020年将DRAM制程技术逐步从15nm进一步演进至10nm。美光也打算在一年内对日本广岛厂注资1,000亿日圆(相当于8.34亿美元)、量产16nm制程DRAM，产量可较20nm制程多出20-30%，对三星与SK Hynix构成威胁。
不过，想要克服20nm制程的限制，则必须改变介电层的设计，才能使用原子结构比现有的分子结构更为紧密的材料，而美光目前还未取得相关技术，也让市场专家对美光的野心产生怀疑。另外，若想要导入16nm制程技术，美光也需购入每台要价1,000亿韩圜(8,700万美元)的EUV设备，该公司对日本的投资额还不太够，而ASML每年也仅能生产7-8台EUV设备。
相较之下，三星打算在明年下半年开始量产18nmDRAM，并计划将DRAM的制程技术从18nm演进至15nm、并于2020年进一步拉升至10nm。SK Hynix在今年第3季成功量产20nmDRAM之后，将在明年第1季研发18nm技术、希望最快能赶在明年下半年量产18nmDRAM。业界消息人士指出，三星在20nmDRAM与竞争对手保持了一年(甚至更多)的差距，但在10nm预料会面临对手竞争。
