导语：2014年苹果引领高端智能型手机向128GB发展，2015年搭载128GB容量的旗舰机纷纷涌进，2016年小米5也搭载了128GB大容量，且配备高性能UFS 2.0，瞬间引爆旗舰机128GB UFS 2.0标配的风潮。如今三星又推出256GB UFS 2.0，或刺激高端旗舰机在2017年向256GB推进。
三星V-NAND开创UFS 2.0新高度：256GB大容量、850MB/s超高速
三星宣布开始量产业界首款256GB容量的UFS 2.0，可达到近两倍SATA SSD的读速度，为下一代高端移动设备尤其是智能型手机，提供更优异的性能表现，而三星UFS 2.0更加紧凑的尺寸，给智能型手机开发设计提供更大的灵活性。
三星最新的UFS 2.0采用的是三星最先进的3D V-NAND芯片和自主研发的高性能控制芯片，满足智能手机高性能，大容量需求。与2D NAND工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量，不仅能大幅度提升移动设备的性能，还将为消费者提供更大的存储空间。
三星最新256GB UFS 2.0最高顺序读写速度分别为850MB/s和260MB/s，读取速度近SATA III SSD的两倍，最高随机读写速度可达45,000 IOPS和40,000 IOPS，较上一代UFS产品快两倍以上，可谓将UFS 2.0性能推上了另一个新高度。
三星还表示，最新UFS 2.0足够支持高性能移动设备实现复杂且多任务应用程序处理，比如：4K超高清电影分屏播放、流顺的超高清视频播放、批量搜索图像文件以及下载视频片段等，而256GB大容量是为数据存储提供的更大的空间，以满足消费者移动设备存储的灵活性。
2016年48层3D NAND将开启256Gb大容量存储时代
2016年Flash原厂NAND Flash工艺将向1znm（12-15nm）推进，更接近2D NAND物理可量产的极限，让Flash原厂加快向3D NAND技术切换，预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年将提高到45%，逐渐成为NAND Flash主流。
三星最早在2013年推出24层3D NAND，2015上半年3D NAND以32层TLC量产128Gb为主，下半年投入48层TLC量产，计划2016年底实现64层TLC V-NAND量产。东芝也将在2016年投入48层3D NAND量产，SK海力士、美光等也在加快向48层3D NAND导入。
随着Flash原厂技术的发展，2016年三星、东芝、美光、SK 海力士等会扩大或进入48层3D NAND量产，采用48层TLC架构可将NAND Flash Die存储密度提升至256Gb，预计256Gb将成为Flash原厂主力量产的容量，若64层堆栈预计可将容量增加至512Gb，2017年将催生更大容量的闪存产品。
2016年旗舰机迎128GB UFS 2.0搭配潮，2017年或向256GB迈进
苹果是智能型手机革新的领导者，最先引领高端旗舰机向128GB容量推进，吹响智能型手机向更高容量升级的号角。紧跟苹果步伐，2015年三星Galaxy S6、乐视超级手机Max、华为Mate 8等旗舰机也纷纷增加了128GB容量选择，同时消费者对128GB容量存储的需求也在不断升温。
2016年初最新发布的Galaxy S7、乐视Max Pro、小米5陆续搭载了128GB容量，且配备的是高性能的UFS 2.0。在小米5这种高性价比智能型手机搭载128GB UFS 2.0的情形下，以及三星积极缩短UFS 2.0与eMMC之间的差价，引导市场由eMMC向UFS转移，势必会刺激更多旗舰机跟进，引爆旗舰机128GB UFS 2.0的风潮。
随着更多旗舰机搭载128GB大容量，作为领导者的苹果和三星，智能型手机容量将向256GB升级，毕竟三星已发布了256GB容量的UFS 2.0。但遗憾的是Galaxy S7并未搭载256GB容量，预计苹果iPhone 7极有可能搭载256GB容量，这将给NAND Flash产业带来积极正面的市场效应，而在苹果的引领下，2017年旗舰机或向256GB迈入。
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