三星内存卡模块迈量产阶段

三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)31日指出，该公司领先同业展开32 GB内存模块的量产工作，此产品采用30奈米制程的4 Gb DDR 3 DRAM，为云端运算与高阶服务器系统所不可或缺的零组件。三星同时预估，2012年4Gb密度以上(含)DRAM产量将占整体DRAM的10%以上。

三星电子内存销售/营销部执行副总Wanhoon Hong表示，此内存模块量产使该公司在个人计算机(PC)用DRAM市场上的产品与解决方案竞争力方面皆领先群雄。该公司拟于今年下半年推出更省电、以20奈米制程生产的4 Gb DDR3 DRAM，此产品将令快速茁壮的环保IT内存解决方案版图更形扩大。三星30奈米4Gb DDR3芯片生产量约较40奈米者提升50%。

预估，2012年4Gb DRAM出货量预估将占整体DRAM的10%上下，之后两年市占率分别扩大至35%与57%

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2011-06-01 11:29:36