尔必达(Elpida)曾在2011年第2季中因为抢先宣布成功开发25纳米制程DRAM芯片，差点与一向技术领先的三星电子(Samsung Electronics)擦枪走火！三星半导体事业部社长权五铉曾表示，
SD卡尔必达25纳米DRAM是否能量产要再观察；巧合的是，三星22日公开宣布20纳米DDR3正式量产后，尔必达晚间立刻公布其25纳米4Gb DDR3将会于年底量产，颇有互相叫阵的意味。
在全球4大DRAM阵营中，三星受惠于2008年底全球金融风暴所造成的奇梦达(Qimonda)倒闭和台厂势力削弱，市占率一举站上40%大关。而制程技术上，三星一向都是领先竞争对手一个世代，至少1年以上的技术差距，但偏偏遇上不甘示弱的尔必达，在2011年以来，双方常为了制程技术的宣示时间点而擦枪走火。
2011年中，尔必达表示其25纳米制程开发完成，也大张旗鼓的对外宣布，曾引发三星不满，因为外界一度以为三星的制程技术落后尔必达，当时权五铉表示，当尔必达生产50纳米DRAM时，三星已经在生产40纳米和35纳米产品，虽然2009年尔必达也宣布成功开发40纳米产品，但似乎并未在市面上大量见到，然三星一直以来的作法，都是「成功开发」和「量产」宣言同时发布。
三星继表态不减产后，22日更宣布新12寸晶圆厂Line-16开始运行，将生产NAND Flash芯片，更宣示其20纳米制程的DDR3已开始量产。
业界认为，三星此一宣言，让台厂与三星之间的技术制程差距，由过去的1~1.5个世代距离，拉锯到2个世代甚至超过，对比台厂中除了瑞晶已全数转进40纳米，且目前25%产能已开始转进30纳米外，其它如南亚科、华亚科、力晶等，都正处于转进40纳米的过程，然三星却一举跳到20纳米制程，让台厂再度觉得很受伤。
不过业界也认为，三星的20纳米要真正见到大量，至少也要到2012年，产能不可能一下子全转到20纳米制程。
然有趣的是，三星20纳米制程量产一宣布，尔必达马上抢在晚间公布25纳米制程4Gb DDR3也预计会在12月开始试产，并同时量产出货，尔必达公布的时间点如此之亦步亦趋，颇有与三星一较高下的意味。
业界认为，新制程技术的公布试产和量产，与真正大量出货的时间点仍是会有落差，但其中技术宣示的意味就显得相当重要。
业界进一步分析，尔必达有别于一般日系业者保守作风，近期在战术策略上常常是紧咬龙头三星，虽然业界都了解其实三星的制程仍是处于较领先的地位，但面对尔必达如此积极地的战略宣示，看在业界眼里则是格外有趣，反观全球二哥海力士(Hynix)则是静悄悄，而S
D卡工厂(Micron)近期似乎对于NAND Flash市场著墨较多，三星与尔必达的叫阵，反而意外擦出火花。
