三星将发20nm制程8Gbit相变记忆体
三星电子(Samsung)即将于2012年国际固态电路会议(ISSCC 2012)上发表采用20nm制程技术的8Gbit相变记忆体(PCM)元件，预期此举将再度挑起相变记忆体是否可商用化上市的辩论。
这一发展并不令人意外，因为三星电子的工程师们将先在美国华府(Washington DC)举行的国际电子元件会议(IEDM)上发表20nm制程的相变随机存取记忆体(PCRAM)单元。
与上一代的先进技术相较，20nm 8Gbit 相变随机存取记忆体可说是技术领域的一大进展。在2011年2月的 ISSCC 上，三星电子的工程师们已发表采用58nm制程技术的 1Gbit相变记忆体，该元件并配备一个低功耗的双倍资料率非挥发性记忆体(LDDR2-N)介面。
尽管经过多年来的研究与开发，
SD卡 目前业界也只有三星电子以及美光科技(Micron Technologies)──透过收购恒忆(Numonyx NV)跨入次世代记忆体业务──是同样可提供商用化非挥发性 PCM 的两家公司。但即便如此，目前在该领域也几乎没有什么有关相变记忆体的报告。
而今，三星公司准备发表采用20nm制程技术且可作业于1.8V与40Mb/s编程频宽的大型 PCM 元件。这将使相变记忆体的性能足以提升至接近于 NAND flash 的几何尺寸与记忆体单元密度。
然而，
SD卡 NAND flash 具有储存以及侦测每单位多位元的能力，让快闪记忆体仍然具有比 PCM 更佳的记忆体容量优势。快闪记忆体也预期将成为一种能以垂直堆叠多个记忆体单位的形式，以进一步扩展记忆体储存容量。
相变记忆体的基本原理是在电阻加热的情况下，透过侦测硫系化物在晶态与非晶态之间位移时的电阻值差异。长久以来，业界希望这种技术能够结合交叉点记忆体的微缩优势以及快闪记忆体的非挥发特性，同时又能提供更优越的耐用度与位元寻址性。
然而，
SD卡工厂 PCM 目前在开发上仍面临诸多障碍，包括超越 NAND 快闪记忆体的快速微缩能力。 PCM 的技术挑战也存在于记忆体单元微缩热效应的能力，以及来自邻近位元间的热串扰问题。同时，对于温度的敏感度是否能使预编程 PCM 免于 PCB 生产过程中(如焊镀液)的影响，这一点也备受关注。
