2012年NAND Flash领域市场需求被存储厂看好，主要是由于2012年NAND Flash需求可能大增，为强化NAND Flash市场攻略，各厂在产品布局上都毫不逊色。
NAND Flash一线大厂不惜砸下巨额扩充NAND产品线，连尔必达也将目光转移到NAND Flash市场上。台系存储厂借着部分大厂NAND Flash关键专利将陆续期满的时间点，切入NAND布局，专攻SLC NAND 低容量市场。各存储厂的热情加盟让NAND Flash市场成为2012年的最大激战地。
三星先前曾宣布，2012年的资本支出将提高至25兆韩元(约合223亿美元)，半导体部门与显示器部门分别投资15兆与6.6兆韩元，2012年计划扩产NAND Flash，若以晶圆为基准，将增加约43%，目前
三星每月产能约35万片，至年底将扩大至每月50万片。
三星的美国奥斯汀厂及正在扩充(ramp-up)的华城16产线等，共有7厂会投入生产NAND Flash。
紧追在
三星之后的
东芝，目前投入NAND Flash生产的晶圆规模为每月32万片，由于Fab 5至2012年底前产能将会扩大至每月9.5万片，NAND Flash总产能将可达到每月44万片。
美光(Micron)和
英特尔(Intel)新加坡12寸晶圆厂以20nm制程技术重新启动，2012年NAND Flash产能将扩大到3万~4万片，并且
英特尔对于SSD布局更为频繁，日前发表目前速度最快、最稳固的客户端/消费型固态硬盘Intel SSD 520。
海力士月产能大约为13万片，将投资规模约4兆韩元(约34.8亿美元)，其中2兆韩元将用来投资NAND Flash，且大部分将使用在清州NAND Flash专用产线M12的资本支出项目上。海力士也计划启动M12产线，在年底前将产能扩大至每月平均17万片。
据韩国业者透露，一线存储器业者集中投资NAND Flash，使目前全球NAND Flash每月平均产量若以12寸晶圆计算，约达98万片。相较于2011年1月的80万片，在1年期间产能增加约18万片。若包含微细制程转换，2011年NAND Flash的位元成长率约达80%，而2012年的位元成长率预估也将可达到接近80%水平。
一直被抑制的台系存储厂借着部分大厂NAND Flash关键专利将陆续期满的时间点，加速布局NAND Flash产品，为了避开与大厂激战，旺宏、华邦电等台系厂均专攻SLC NAND 低容量市场，开辟与大厂正面冲突。旺宏512Mb 和1Gb SLC NAND Flash已经开始送样，预计第一季试产，华邦电宣布今年下半年将开始试产46奈米NAND Flash产品，今年底至明年第一季左右推出新产品。
模块厂创见日前表示，今年存储产业不会比去年差， NAND Flash会比去年好。力成董事长蔡笃恭表示FLASH则受惠SSD(固态硬盘)带动，1 月甚至有FLASH急单进来，推升了 1 月营收走扬，对于市场需求存储厂都表乐观态度。
据预估，2011年NAND Flash市场规模约230亿美元，2012年将因智能型装置需求增加，使NAND Flash市场规模也扩大50%以上至340亿美元，而DRAM市场规模约比2011年增加10%至330亿美元，使NAND Flash市场首度超越DRAM市场。
