三星10nm制程明年底全面投产
全球10nm制程竞赛正式开打！就在三星电子详细说明了14nm制程技术的一个月之后，该公司正式宣布次世代的10nm FinFET制程技术。
据报导，三星在一场公司会议上宣布了10nm的消息，并透露这个制程明(2016)年底会全面投产，与台积电的时程大致相同。三星晶圆代工部门副总裁Hong Hao表示，该公司的10nm制程在电力、面积与效能方面拥有强大优势，应用的市场非常广泛。
三星22日也对14nmFinFET制程透露更多细节，宣称旗下德州奥斯汀厂以及格罗方德半导体纽约厂都已导入14nm制程科技。
据报导，三星电子曾在2月22-26日于旧金山举办的国际固态电路会议(International Solid State Circuit Conference，ISSCC)上展示了全球首见的10nmFinFET半导体制程，有望抢在英特尔之前打造出第一款10nm移动芯片组。
三星电子半导体事业部总裁Kim Ki-nam 2月当时在旧金山展场中表示，采用10nmFinFET制程技术的芯片不但更加省电、体积也更小，是物联网(Internet of Things，IoT)演化进程中相当重要的一步。除了10nm制程技术之外，Kim也谈论了10nm的DRAM与3D V-NAND存储。目前还无法确定消费性电子产品何时才会导入这种最新的半导体制程技术，也许要等到2017年才有可能。
台积电甫于昨日(5月21日)宣布，位于中科的台积晶圆十五厂新建厂区，将用于10nm技术的量产，预计在明年中开始安装机台，并于后年生产。
根据俄罗斯科技网站独家拿到的英特尔2013年-2016年计划时程，该公司打算在明年第3季发表采用10nm制程技术的Cannonlake处理器，而14nm的Skylake架构系列处理器则会如期在今年第4季问世。
